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GaN，中文名：氮化镓，常温常压下是纤锌矿结构。是现今半导体照明中蓝光发光二极管的核心材料。工业上采用MOCVD和HVPE设备来外延生长。

GaN半导体材料有二种基本结构:纤锌矿(Wurtzite, WZ)和闪锌矿(Zinc blende, ZB)。常温常压下惟有纤锌矿结构为稳定相。纤锌矿结构由两套六角密堆积子格子沿c轴方向平移3c/8 套构而形成，所属空间群为或P63mc。

一、氮化镓/GaN - MGZ18N65的特性：

650V, 13A, RDS (on)(typ.)= 150mΩ@VGS = 10V.
非常低的QRR
减少交叉损失
易于驾驶与常用的门驱动器
实现交流直流无桥图腾柱PFC设计
-功率密度增加
-减少了系统的尺寸和重量
-整体较低的系统成本
在硬交换电路和软交换电路中都能提高了效率

二、氮化镓/GaN - MGZ18N65的应用：

电源适配器

低功耗SMPS
照明设备

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