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GaN，中文名：氮化镓，常温常压下是纤锌矿结构。是现今半导体照明中蓝光发光二极管的核心材料。工业上采用MOCVD和HVPE设备来外延生长。
GaN半导体材料有二种基本结构:纤锌矿(Wurtzite, WZ)和闪锌矿(Zinc blende, ZB)。常温常压下惟有纤锌矿结构为稳定相。纤锌矿结构由两套六角密堆积子格子沿c轴方向平移3c/8 套构而形成，所属空间群为或P63mc。
一、氮化镓/GaN - MGZ18N65的特性：
650V, 13A, RDS (on)(typ.)= 150mΩ@VGS = 10V. 非常低的QRR 减少交叉损失 易于驾驶与常用的门驱动器 实现交流直流无桥图腾柱PFC设计 -功率密度增加 -减少了系统的尺寸和重量 -整体较低的系统成本 在硬交换电路和软交换电路中都能提高了效率
二、氮化镓/GaN - MGZ18N65的应用：
电源适配器
低功耗SMPS 照明设备
咨询热线：15915781962
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