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本電源模組是65W單一C介面，其輸出電壓由協議IC可以控制5V/3A, 9V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A等電壓輸出，使用QR/DCM反馳式電路架構於輸出20V重載時可達93%效率及功率密度可達1.5W/cm3，本系統採用同系列控制單晶片：QR一次側控制IC驅動MTC D-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次側同步整流控制IC及PD3.0協議IC)可達到较佳匹配。
一、GaN/氮化镓 - MTC-65W1C的特性：
返馳式穀底偵測減少開關損失 輕載Burst Mode增加效率 较佳效能可達93% 空載損耗低於50mW 控制IC可支持頻率高達160 kHz 系統頻率有Jitter降低EMI干擾 控制IC可直接驅動GaN 進階保護功能如下： (1) VDD過電壓及欠電壓保護 (2) 導通時较大峰值電流保護 (3) 輸出過電壓保護 (4) 輸出短路保護 可輸出65W功率
二、GaN/氮化镓 - MTC-65W1C的应用：
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