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本电源模块是65W单一C界面，其输出电压由协议IC可以控制5V/3A, 9V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A等电压输出，使用QR/DCM反驰式电路架构于输出20V重载时可达93%效率及功率密度可达1.5W/cm3，本系统采用同系列控制单晶片：QR一 次 侧 控 制 IC 驱 动 MTC D-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次侧同步整流控制IC及PD3.0协议IC)可达到较佳匹配。
一、GaN/氮化镓 - MTC-PD65W1C-FXA1的特性：
返驰式谷底侦测减少开关损失 轻载Burst Mode增加效率 较佳效能可达93% 空载损耗低于50mW 控制IC可支持频率高达160 kHz 系统频率有Jitter降低EMI干扰 控制IC可直接驱动GaN 进阶保护功能如下： (1) VDD过电压及欠电压保护 (2) 导通时较大峰值电流保护 (3) 输出过电压保护 (4) 输出短路保护 可输出65W功率
二、GaN/氮化镓 - MTC-PD65W1C-FXA1的应用：
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