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GaN，中文名：氮化镓，常温常压下是纤锌矿结构。是现今半导体照明中蓝光发光二极管的核心材料。工业上采用MOCVD和HVPE设备来外延生长。
GaN半导体材料有二种基本结构:纤锌矿(Wurtzite, WZ)和闪锌矿(Zinc blende, ZB)。常温常压下惟有纤锌矿结构为稳定相。纤锌矿结构由两套六角密堆积子格子沿c轴方向平移3c/8 套构而形成，所属空间群为或P63mc。
一、GaN/氮化镓 - MGZ31N65的特性：
650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V 非常低的QRR 减少交叉损失 符合RoHS标准和无卤素要求的包装
二、GaN/氮化镓 - MGZ31N65的应用：
电源适配器
低功耗SMPS
照明设备
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