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碳化硅紫外光电二极管SG01XL-B5特性:
1、采用碳化硅(SiC)材料
2、仅适用于UVB波段
3、光敏区域面积7.6mm2
4、10uW/cm2峰值辐射强度照射下产生约95nA电流
5、芯片高度稳定性(通过德国PTB认证)
关于碳化硅材料(SiC):
SiC具有极其特别的优点,能承受高强度的辐射,对可见光几乎不敏感,产生的暗电流低,响应速度快,这些特性使得SiC成为能够抑制可见光用来制作半导体紫外线探测器很好的材料。SiC探测器可以长期工作在高达170℃的温度中,温度系数低(<0.1%/K)并且噪音低,能够有效的监测到很低的辐射强度(需配置相应的放大器)。
碳化硅紫外光电二极管SG01XL-B5技术参数:
型号
SG01XL-B5
光谱特性
灵敏度
0.125A/W
波长典型值
280nm
波长范围(S=0.1*Smax)
231-309nm
可见光抑制比(Smax/S>405nm)
>1010
一般特性(25℃)
光敏区域面积
7.6mm2
暗电流(1V反向偏压)
25.3fA
电容
1900pF
短路电流(10uW/cm2峰值辐射强度)
约95nA
温度系数
<0.1%/K
额定值
操作温度
-55~+170℃
储存温度
焊接温度(3S)
260℃
反向电压VRmax
20V
物理特性
采用TO5金属外壳密封,1引脚绝缘,1引脚接地
碳化硅紫外光电二极管SG01XL-B5应用领域:
主要用于火焰控制(工业锅炉),水处理( UV强度的保险),UV天文(阵列探测),枪弹跟踪(紫外线照相机),臭氧和污染物监测,火焰感应(火警安全装置油滴监测),测试太阳光中的紫外线强度(礼品、化妆品用具),紫外线灯管的紫外线发生强度测试(医疗器械或民用消毒碗柜的消毒效率检验)等。
咨询热线:0755-83289071
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