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德国SGLUX 紫外光电二极管 SG01D–5LENS 描述 关于材料碳化硅(SiC)
SiC具有独特的特性，能承受高强度的辐射，对可见光几乎不敏感，产生的暗电流低，响应速度快和噪音低。这些特性使SiC成为可见盲区半导体紫外探测器的很好使用材料。SiC探测器可以一直工作于高达170°C (338°F)的温度中。信号（响应率）的温度系数也很低，< 0,1%/K。由于噪音低(fA级的暗电流), 能够有效地检测到很低的紫外辐射强度。请注意这个装置需要配置相应的放大器。(参见第3页中的典型电路)。
德国SGLUX 紫外光电二极管 SG01D–5LENS 选项
SiC光电二极管有七个不同的有效敏感面积可供选择，从0.06 mm2 到36 mm2。标准版本是宽频UVA-UVB-UVC。
四个滤波版本导致更严格的感光范围。所有光电二极管都有密封的金属外壳（TO型），直径为5.5mm的TO18 外壳或9.2mm 的TO5外壳。进一步的选项是2只引脚（1绝缘，1接地）或3只引脚（2绝缘，1接地）。
德国SGLUX 紫外光电二极管 SG01D–5LENS 特点
宽频UVA+UVB+UVC, PTB报道的芯片高稳定性, 用于火焰检测
10µW/cm2 峰值辐射约产生350 nA电流
德国SGLUX 紫外光电二极管 SG01D–5LENS 参数
参数
符号
数值
单位
光谱特性
峰值波长处的典型响应度
S
0，130
aw
光谱响应度的波长
Λ
280
nm
响应波长范围(S=0,1*Smax)
-
221-358
可见盲区(Smax/S>405nm)
VB
> 1010
一般特性(T=25°C)
敏感面积(芯片尺寸= 0,50 mm2)
A
11，0
mm2
暗电流(1V反向偏压)
Id
1,7
fa
电容
C
125
pF
短路(10µW/cm2 峰值处)
Io
350
nA
温度系数
Tc
< 0,1
%/K
额定值
工作温度
Topt
-55...+170
°C
储存温度
Tstor
–55 … +170
焊接温度(3s)
Tsold
260
反向电压
VRmax
20
V
咨询热线：0755-83289071
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